日前，蘋(píng)果一位供應(yīng)商宣布計(jì)劃在2019-2020期間推出5nm處理器。臺(tái)積電目前擁有6000名研發(fā)人員負(fù)責(zé)5nm工藝，他們希望到2019年-2020年期間能夠擁有5nm芯片。這家廠商曾于4月份透露，他們將采用極紫外(EUV)光刻技術(shù)來(lái)提高產(chǎn)品性能和降低成本。臺(tái)積電指出，他們的7nm和5nm芯片能推動(dòng)AR、VR、情境感知計(jì)算、AI和深度學(xué)習(xí)的發(fā)展(蘋(píng)果在WWDC主題演講中觸及的領(lǐng)域)，從而為智能手機(jī)和頭顯帶來(lái)創(chuàng)新功能。

　　但5nm處理器還有一個(gè)特殊的優(yōu)勢(shì)，它們可以帶來(lái)支持?jǐn)?shù)天續(xù)航的電池。在周一，IBM Alliance表示5nm處理器將能帶來(lái)續(xù)航能力上的電池優(yōu)勢(shì)，允許設(shè)備在不充電的情況下連續(xù)運(yùn)行數(shù)天。

　　IBM指出：“自開(kāi)發(fā)具有200億個(gè)晶體管的7nm測(cè)試節(jié)點(diǎn)芯片以來(lái)的不到兩年時(shí)間里，科學(xué)家為在指甲大小的芯片上安裝300億個(gè)晶體管鋪平了道路。性能的提高將有助于加速認(rèn)知計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)以及其他需要在云端處理的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。能耗節(jié)省同時(shí)意味著智能手機(jī)和其他移動(dòng)產(chǎn)品的續(xù)航能力比當(dāng)前設(shè)備多兩到三倍�！�

　　與市面上領(lǐng)先的10nm技術(shù)相比，基于納米片的5nm技術(shù)可以在固定功率下提供40%的性能提升，或者在匹配性能下節(jié)省75%的功耗。這一改進(jìn)能夠大大提升人力智能系統(tǒng)、虛擬現(xiàn)實(shí)和移動(dòng)設(shè)備的未來(lái)需求。

　　用于制造7nm測(cè)試節(jié)點(diǎn)及其200億個(gè)晶體管的相同極紫外光刻方法被應(yīng)用于納米片晶體管架構(gòu)。使用EUV光刻技術(shù)，工程師可以連續(xù)調(diào)整納米片的寬度，讓其完全置于單一制造工藝或芯片設(shè)計(jì)中。這種可調(diào)整性允許工程師對(duì)特定電路的性能和功率進(jìn)行微調(diào)，而這在當(dāng)前的FinFET晶體管架構(gòu)制作中不可能實(shí)現(xiàn)(受載流片高度的限制)。

　　由于臺(tái)積電一直在宣傳他們將在7nm處理器中采用極光紫外光刻技術(shù)，預(yù)計(jì)他們很有可能繼續(xù)在5nm處理器中使用這項(xiàng)技術(shù)。目前，臺(tái)積電的技術(shù)是否能媲美IBM/三星/ GlobalFoundries 5nm芯片的功耗仍不得而知。但是，臺(tái)積電很有可能向蘋(píng)果的2020 iPhone提供類(lèi)似的產(chǎn)品。我們暫時(shí)還不能在這澈爭(zhēng)中忽略臺(tái)積電，相信這家廠商將在今年內(nèi)宣布相關(guān)消息以對(duì)抗IBM Alliance的突破。

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